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FCPF260N60E-F154	文件：268.69 Kbytes Page：10 Pages	Marking：FCPF260N60E；Package：TO-220F；MOSFET – N-Channel, SUPERFET II 600 V, 15 A, 260 m Description SUPERFETIIMOSFETisONSemiconductor’sbrand−newhigh voltagesuper−junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingcharge balancetechnologyforoutstandinglowon−resistanceandlowergate chargeperformance.Thistechnologyistailoredtominimize conductionloss,providesuper	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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FCPF260N60E-F154

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Page：10 Pages

Marking：FCPF260N60E；Package：TO-220F；MOSFET – N-Channel, SUPERFET II 600 V, 15 A, 260 m

Description SUPERFETIIMOSFETisONSemiconductor’sbrand−newhigh voltagesuper−junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingcharge balancetechnologyforoutstandinglowon−resistanceandlowergate chargeperformance.Thistechnologyistailoredtominimize conductionloss,providesuper

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

详细参数

型号：
FCPF260N60E
功能描述：
MOSFET Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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