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FCPF190N60-F152	文件：1.20667 Mbytes Page：10 Pages	Marking：FCPF190N60；Package：TO-220F；N-Channel SuperFET® II MOSFET 600 V, 20.2 A, 199 mΩ Description SuperFET®IIMOSFETisONSemiconductor’sfirstgeneration ofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamily thatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglow on-resis-tanceandlowergatechargeperformance.This advancedtech-nologyistailoredtominimizeconductio	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FCPF190N60-F154	文件：160.19 Kbytes Page：9 Pages	Marking：FCPF190N60；Package：TO-220F；MOSFET – N-Channel, SUPERFET II 600 V, 20.2 A, 199 m Description SUPERFETIIMOSFETisonsemi’sbrand−newhighvoltage super−junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalance technologyforoutstandinglowon−resistanceandlowergatecharge performance.Thistechnologyistailoredtominimizeconductionloss, providesuperiorswitch	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FCPF190N60E-F154	文件：254.7 Kbytes Page：10 Pages	Marking：FCPF190N60E；Package：TO-220F；MOSFET – N-Channel, SUPERFET II 600 V, 20.6 A, 190 m Description SUPERFETIIMOSFETisONSemiconductor’sbrand−newhigh voltagesuper−junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingcharge balancetechnologyforoutstandinglowon−resistanceandlowergate chargeperformance.Thistechnologyistailoredtominimize conductionloss,providesuper	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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FCPF190N60-F152

文件：1.20667 Mbytes

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Marking：FCPF190N60；Package：TO-220F；N-Channel SuperFET® II MOSFET 600 V, 20.2 A, 199 mΩ

Description SuperFET®IIMOSFETisONSemiconductor’sfirstgeneration ofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamily thatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglow on-resis-tanceandlowergatechargeperformance.This advancedtech-nologyistailoredtominimizeconductio

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Marking：FCPF190N60；Package：TO-220F；MOSFET – N-Channel, SUPERFET II 600 V, 20.2 A, 199 m

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文件：254.7 Kbytes

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Marking：FCPF190N60E；Package：TO-220F；MOSFET – N-Channel, SUPERFET II 600 V, 20.6 A, 190 m

Description SUPERFETIIMOSFETisONSemiconductor’sbrand−newhigh voltagesuper−junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingcharge balancetechnologyforoutstandinglowon−resistanceandlowergate chargeperformance.Thistechnologyistailoredtominimize conductionloss,providesuper

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详细参数

型号：
FCPF190N60
功能描述：
MOSFET SuperFET2, 190mohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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