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FCPF190N60E中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FCPF190N60E
厂商型号

FCPF190N60E

功能描述

DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

文件大小

298.83 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
FAIRCHILD
数据手册

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更新时间

2025-8-4 20:00:00

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FCPF190N60E规格书详情

描述 Description

SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFETII MOSFET is suitable for various AC/DC power conversion for system miniaturization and higher efficiency.

特性 Features

• 650 V @TJ = 150°C

• Max. RDS(on) = 380 mΩ

• Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 34 nC)

• Low Effective Output Capacitance ( Typ. Coss.eff = 97 pF)

• 100 Avalanche Tested

Applications

• LCD / LED / PDP TV Lighting

• Solar Inverter

• AC-DC Power Supply

产品属性

  • 型号:

    FCPF190N60E

  • 功能描述:

    MOSFET 600V N-CHAN MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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