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FCD900N60Z中文资料N 沟道 SuperFET® II MOSFET 600 V、4.5 A、900 mΩ数据手册ONSEMI规格书
FCD900N60Z规格书详情
描述 Description
SuperFET® II MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此，SuperFET II MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。
特性 Features
•650 V at TJ = 150°C
•RDS(on)最大值 = 900 mΩ
•超低栅极电荷（典型值 Qg = 13 nC )
•低有效输出电容（典型值 Coss.eff = 49 pF )
•100% 经过雪崩击穿测试
•提高静电放电保护能力
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FCD900N60Z
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：600
- VGS Max (V)
：DC: ±20
- VGS(th) Max (V)
：3.5
- ID Max (A)
：4.5
- PD Max (W)
：52
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：900
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：13.1
- Ciss Typ (pF)
：543
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
2511 |
TO-252 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
22+ |
TO-252 |
25800 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO252 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
16+ |
TO-252 |
2000 |
原装现货 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-252 |
20300 |
ONSEMI/安森美原装特价FCD900N60Z即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-252 |
10000 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
24+ |
N/A |
82000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ON/安森美 |
2223+ |
TO-252 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO252 |
8950 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
询价 |
