isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 4.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.9Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

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ISC

无锡固电

FCD900N60Z N-Channel SuperFET II MOSFET 600 V, 4.5 A, 900 m廓

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FAIRCHILD

仙童半导体

FCD900N60Z N-Channel SuperFET II MOSFET 600 V, 4.5 A, 900 m廓

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FAIRCHILD

仙童半导体

N 沟道 SuperFET® II MOSFET 600 V、4.5 A、900 mΩ

SuperFET® II MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此，SuperFET II MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。 •650 V at TJ = 150°C\n•RDS(on)最大值 = 900 mΩ\n•超低栅极电荷（典型值 Qg = 13 nC )\n•低有效输出电容（典型值 Coss.eff = 49 pF )\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•提高静电放电保护能力;

ONSEMI

安森美半导体