FCD5N60中文资料功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET®，Easy Drive，600 V，4.6 A，950 mΩ，DPAK数据手册ONSEMI规格书
FCD5N60规格书详情
描述 Description
SuperFET® MOSFET 是飞兆半导体第一代利用电荷平衡技术实现出色低导通电阻和更低栅极电荷性能的高压超级结（SJ）MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化传导损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此，SuperFET MOSFET产品非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。
特性 Features
•650V @TJ = 150°C
•典型值 RDS(on) = 810mΩ
•超低栅极电荷（典型值 Qg = 16nC )
•低有效输出电容（典型值 Coss.eff = 32pF )
•100%经过雪崩测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FCD5N60
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：600
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：4.6
- PD Max (W)
：54
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：950
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：16
- Ciss Typ (pF)
：470
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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