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FCD3400N80Z中文资料功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，800 V，2 A，3.4 Ω，DPAK数据手册ONSEMI规格书
FCD3400N80Z规格书详情
描述 Description
SuperFET® II MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此，SuperFET II MOSFET 非常适合开关电源应用，如音频、笔记本电源适配器、照明、ATX 电源及工业电源应用。
特性 Features
•RDS(on) = 2.75 Ω（典型值）
•超低栅极电荷（典型值 Qg = 7.4 nC)
•低 Low Eoss （典型值 0.9 uJ @ 400V)
•低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 41 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•改进了 ESD 防护能力
应用 Application
• Computing
• Consumer
• Industrial
• Notebook / Desktop computer / Game console
• LCD / LED TV
• Telecom / Server
• LED Lighting / Ballast
• Adapter
技术参数
- 制造商编号
：FCD3400N80Z
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：800
- VGS Max (V)
：DC: ±20
- VGS(th) Max (V)
：4.5
- ID Max (A)
：2
- PD Max (W)
：32
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：3400
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：7.4
- Ciss Typ (pF)
：299
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DPAK-3 / TO-252-3 |
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