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FCB260N65S3	文件：316.08 Kbytes Page：10 Pages	丝印：FCB260N65S3；Package：D2-PAK；MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 文件：316.08 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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FCB260N65S3	文件：332.66 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.26Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：332.66 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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更多FCB260N65S3供应商更新时间2025-9-21 16:20:00