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7413	文件：123.19 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Id=12A) SMPSMOSFET Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduce SwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
7413SYZBE	文件：1.03503 Mbytes Page：14 Pages	7000SeriesMiniatureToggleSwitches	CK-COMPONENTS C&K Components
AM7413P	文件：409.49 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel100-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power
AO7413	文件：219.28 Kbytes Page：5 Pages	20VP-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO7413	文件：114.19 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO7413usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge,andoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V,inthesmallSOT323footprint.Itcanbeusedforawidevarietyofapplications,includingloadswitching,lowcurrentinvertersandlow	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO7413L	文件：114.19 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO7413usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge,andoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V,inthesmallSOT323footprint.Itcanbeusedforawidevarietyofapplications,includingloadswitching,lowcurrentinvertersandlow	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
HD7413	文件：143.51 Kbytes Page：4 Pages	TTLHD74/HD74SSeries	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司
IRF7413	文件：1.84902 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=12A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
IRF7413	文件：123.19 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Id=12A) SMPSMOSFET Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduce SwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF7413	文件：422.14 Kbytes Page：8 Pages	GenerationVTechnology GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance N-ChannelMosfet SurfaceMount AvailableinTape&Reel Dynamicdv/dtRating FastSwitching 100RgTested Lead-Free Application Features VDS(V)=30V RDS(ON)12m(VGS=10V) RDS(ON)17m(VGS=4.5V)	UMWUMW 友台友台半导体
IRF7413A	文件：116.16 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.0135ohm) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF7413GPBF	文件：264.75 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF7413GTRPBF	文件：264.75 Kbytes Page：9 Pages	GenerationVTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF7413PBF	文件：263.63 Kbytes Page：9 Pages	ULTARLOWONRESISTANCE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF7413PBF	文件：211.18 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF7413QPBF	文件：257.48 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheseHEXFET®PowerMOSFETsinSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveaval	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF7413TR	文件：244.97 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance SMPSMOSFET Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduce SwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF7413TR	文件：422.14 Kbytes Page：8 Pages	GenerationVTechnology GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance N-ChannelMosfet SurfaceMount AvailableinTape&Reel Dynamicdv/dtRating FastSwitching 100RgTested Lead-Free Application Features VDS(V)=30V RDS(ON)12m(VGS=10V) RDS(ON)17m(VGS=4.5V)	UMWUMW 友台友台半导体
IRF7413TRPBF	文件：263.63 Kbytes Page：9 Pages	fastsuitching	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF7413TRPBF	文件：1.89771 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

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更多F7413ZTRPBF供应商更新时间2024-4-28 10:36:00

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