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F30	文件：493.48 Kbytes Page：2 Pages	10 WATTS SINGLE & DUAL OUTPUT DC/DC INDUSTRIAL	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
F30	文件：121.72 Kbytes Page：3 Pages	RECTIFIER, up to 3kV, 350mA, 250ns	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
F30	文件：360.47 Kbytes Page：3 Pages	Stackable	OHMITEOHMITE MANUFACTURING COMPANY 欧敏欧敏电阻制造公司	OHMITE
F30	文件：622.9 Kbytes Page：6 Pages	ISOLATED, PROPORTIONAL DC TO HV DC CONVERTERS	XPPOWER XP Power Limited	XPPOWER
F30	文件：74.34 Kbytes Page：2 Pages	AXIAL LEADED HERMETICALLY SEALED HIGH VOLTAGE SUPERFAST RECTIFIER DIODE	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
F30	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：轴向；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 3KV 350MA AXIAL	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
F30	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：5-DIP 模块；包装：管件类别：电源 - 板安装直流转换器描述：DC DC CONVERTER 3000V 10W	XPP XP Power	XPP
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F3002	文件：36.21 Kbytes Page：2 Pages	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR? GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifetime	Polyfet Polyfet RF Devices	Polyfet
F3007S	文件：424.66 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 80 V (D-S) MOSFET FEATURES •ThunderFET®powerMOSFET •Maximum175°Cjunctiontemperature •100%RgandUIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

产品属性

产品编号：
F30
制造商：
XP Power
类别：
电源 - 板安装 > 直流转换器
系列：
XP EMCO - F (10W)
包装：
管件
类型：
高电压 - 隔离模块
电压 - 输入（最小值）：
0.7V
电压 - 输入（最大值）：
15V
电压 - 输出 1：
3000V
电流 - 输出（最大值）：
3.3mA
应用：
ITE（商业）
特性：
比例输出
工作温度：
-10°C ~ 70°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
5-DIP 模块
大小 / 尺寸：
2.80" 长 x 1.70" 宽 x 0.85" 高（71.1mm x 43.2mm x
描述：
DC DC CONVERTER 3000V 10W

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