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F1206L350SL-06	文件：221.07 Kbytes Page：3 Pages	SMD PPTC RESETTABLE FUSE Product Features: Small surface mountable, Solid state, Faster time to trip than standard SMD devices, Lower resistance than standard SMD devices 文件：221.07 Kbytes 页数：3 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
F1206L380SL-06	文件：221.07 Kbytes Page：3 Pages	SMD PPTC RESETTABLE FUSE Product Features: Small surface mountable, Solid state, Faster time to trip than standard SMD devices, Lower resistance than standard SMD devices 文件：221.07 Kbytes 页数：3 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
F1206L400SL-06	文件：221.07 Kbytes Page：3 Pages	SMD PPTC RESETTABLE FUSE Product Features: Small surface mountable, Solid state, Faster time to trip than standard SMD devices, Lower resistance than standard SMD devices 文件：221.07 Kbytes 页数：3 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
F1206L450SL-06	文件：221.07 Kbytes Page：3 Pages	SMD PPTC RESETTABLE FUSE Product Features: Small surface mountable, Solid state, Faster time to trip than standard SMD devices, Lower resistance than standard SMD devices 文件：221.07 Kbytes 页数：3 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
F1206L500SL-06	文件：221.07 Kbytes Page：3 Pages	SMD PPTC RESETTABLE FUSE Product Features: Small surface mountable, Solid state, Faster time to trip than standard SMD devices, Lower resistance than standard SMD devices 文件：221.07 Kbytes 页数：3 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
F1206L600SL-06	文件：221.07 Kbytes Page：3 Pages	SMD PPTC RESETTABLE FUSE Product Features: Small surface mountable, Solid state, Faster time to trip than standard SMD devices, Lower resistance than standard SMD devices 文件：221.07 Kbytes 页数：3 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
F1206L700SL-06	文件：221.07 Kbytes Page：3 Pages	SMD PPTC RESETTABLE FUSE Product Features: Small surface mountable, Solid state, Faster time to trip than standard SMD devices, Lower resistance than standard SMD devices 文件：221.07 Kbytes 页数：3 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
F1207	文件：37.99 Kbytes Page：2 Pages	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR 20 Watts Push - Pull Package Style AQ HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, 文件：37.99 Kbytes 页数：2 Pages	POLYFET	POLYFET
F1208	文件：38.31 Kbytes Page：2 Pages	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR? 40Watts Gemini Package Style AK HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, 文件：38.31 Kbytes 页数：2 Pages	POLYFET	POLYFET
F1209	文件：36.79 Kbytes Page：2 Pages	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR? General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime 文件：36.79 Kbytes 页数：2 Pages	POLYFET	POLYFET

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技术参数

Frequency Range (MHz)：
30 - 150
Supply Voltage (V)：
4.75 - 5.25
Pkg. Type：
VFQFPN
Lead Count (#)：
28
Output IP3 (dBm)：
48
Gain (dB)：
22
Gain Resolution (dB)：
0.25
Noise Figure (dB)：
2.2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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