F1207RF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
F1207 |
| 参数属性 | F1207 封装/外壳为28-WFQFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器；产品描述：IC AMP GP 230MHZ-300MHZ 28VFQFPN |
| 功能描述 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| 封装外壳 | 28-WFQFN 裸露焊盘 |
| 文件大小 |
37.99 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | Polyfet RF Devices |
| 企业简称 |
POLYFET |
| 中文名称 | Polyfet RF Devices官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 9:02:00 |
| 人工找货 | F1207价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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20 Watts Push - Pull
Package Style AQ
HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE
General Description
Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.
产品属性
- 产品编号：
F1207NBGI
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 频率：
230MHz ~ 300MHz
- P1dB：
19.4dBm
- 增益：
20dB
- 噪声系数：
3.7dB
- 射频类型：
通用
- 电压 - 供电：
4.75V ~ 5.25V
- 电流 - 供电：
110mA
- 测试频率：
100MHz
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
28-WFQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
28-VFQFPN（5x5）
- 描述：
IC AMP GP 230MHZ-300MHZ 28VFQFPN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
POLYFET |
23+ |
高频管 |
3000 |
原装正品假一罚百!可开增票! |
询价 | ||
金升阳 |
900 |
询价 | |||||
POLYFET |
24+ |
TO-62S |
155 |
现货供应 |
询价 | ||
MORNSUN |
23+ |
SIP |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
MORNSUN |
23+ |
MORNSUN |
23954 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
POLYFET |
24+ |
TO-62S |
9630 |
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询价 | ||
JETEKPS |
24+ |
DIP/SIP |
5000 |
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询价 | ||
MORNSUN |
23+ |
DIP |
30000 |
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询价 | ||
POLYFET |
23+ |
TO-62S |
500 |
专营高频管模块,全新原装! |
询价 | ||
MORNSUN |
22+ |
DIP |
5500 |
进口原装!现货库存 |
询价 |
