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F1207	文件：37.99 Kbytes Page：2 Pages	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR 20 Watts Push - Pull Package Style AQ HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, 文件：37.99 Kbytes 页数：2 Pages	Polyfet	Polyfet
F1207	文件：2.41575 Mbytes Page：14 Pages	Intermediate Frequency Digital Variable Gain Amplifier 文件：2.41575 Mbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
F1207XMD-1W	文件：1.02024 Mbytes Page：2 Pages	3KV ISOLATED 1 W UNREGULATED SINGLE OUTPUT DIP8 DC/DC Converter 文件：1.02024 Mbytes 页数：2 Pages	MICRODC 泰辰电气	MICRODC
F1207XMD-1W	文件：680.12 Kbytes Page：2 Pages	3KV ISOLATED 1 W UNREGULATED SINGLE OUTPUT DIP8 DC/DC Converter 文件：680.12 Kbytes 页数：2 Pages	MICRODC 泰辰电气	MICRODC
F1207SY-2WR1	文件：300 bytes Page：1 Pages	隔离DC-DC电源模块	JETEKPS 健特电子	JETEKPS
F12075_IRIS	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘类别：光电器件光学 - 镜头描述：LENS ASSY 1POS 38MM RND 26.9MM	LEDIL	LEDIL
F1207NBGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：28-WFQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC AMP GP 230MHZ-300MHZ 28VFQFPN	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
F1207NBGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：28-WFQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC AMP GP 230MHZ-300MHZ 28VFQFPN	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

技术参数

输入电压（VDC）：
10.8~13.2
输出电压（VDC）：
7.0
输出路数：
1
隔离电压（VDC）：
3000
封装形式：
SIP
封装尺寸：
19.6*7.0*10.0
效率%：
86
认证/标准：
CE RoHS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市旺财半导体有限公司	F1207	POLYFET	23+		1688	房间现货库存:QQ:373621633	询价
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更多F1207供应商更新时间2025-10-14 10:31:00

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