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F1207

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

20WattsPush-Pull PackageStyleAQ HIGHEFFICIENCY,LINEAR,HIGHGAIN,LOWNOISE GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,

Polyfet

Polyfet RF Devices

F1207

Intermediate Frequency Digital Variable Gain Amplifier

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

F1207XMD-1W

3KV ISOLATED 1 W UNREGULATED SINGLE OUTPUT DIP8 DC/DC Converter

MICRODCMicrodc power Technology Co., Ltd

泰辰电气泰辰(深圳)电气有限公司

F1207XMD-1W

3KV ISOLATED 1 W UNREGULATED SINGLE OUTPUT DIP8 DC/DC Converter

MICRODCMicrodc power Technology Co., Ltd

泰辰电气泰辰(深圳)电气有限公司

F12075_IRIS

包装:托盘 类别:光电器件 光学 - 镜头 描述:LENS ASSY 1POS 38MM RND 26.9MM

LEDILLEDiL

莱迪尔莱迪尔公司

F1207NBGI

Package:28-WFQFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC AMP GP 230MHZ-300MHZ 28VFQFPN

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

F1207NBGI8

Package:28-WFQFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC AMP GP 230MHZ-300MHZ 28VFQFPN

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

详细参数

  • 型号:

    F1207

  • 制造商:

    Integrated Device Technology Inc

  • 功能描述:

    RF MIXER 0.35 UM SIGE BICMOS - Bulk

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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房间现货库存:QQ:373621633
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更多F1207供应商 更新时间2025-7-23 10:31:00