2.5-W/CH 短路保护自动恢复双声道 Filterless-D类音频放大器

EUA2012A 是一款高效率，每个通道具有2.5W功率输出的双声道D类音频放大器，它用一种低噪声filterless PWM的架构，无需输出滤波器，实际应用上只需使用两个外部组件。电源电压为5V时，EUA2012A能在输出负载为4Ω的扬声器上，单一通道可以输送出2.5W/10% 的输出功率及失真度。\nEUA2012A具有两个独立的关断(Shutdown)控制信号，可以单独关闭左声道或右声道。利用G0与G1两个接脚，可以选择增益为6、12、18或是24dB。高电源拒斥比(PSRR)以及全差动设计可以有效抑制噪声以及射频(RF)干扰。\nEUA2012A采用WCSP以及TQFN封装，适 •独特调变方案来减少EMI干扰\n•输出功率(TQFN封装):\n- 负载4Ω，工作电压5V，单一通道输出功率可达2.5W\n- 负载8Ω，工作电压5V，单一通道输出功率可达1.6W\n- 负载8Ω，工作电压3.6V，单一通道输出功率可达800mW\n•工作电压2.5V到5.5V\n•左声道或右声道具有单独关断(Shutdown)控制信号\n•增益选择：6、12、18或是24 dB\n•高PSRR：63dB at 217Hz\n•快速启动时间：34ms\n•操作电压3.6V时，具有5.2mA 低静态电流以及1.5uA关断电流\n•具有自动恢复的短路保护以及过热关断保护机制\n•Space Sa;

Eutech

德信科技

2.5-W/CH Stereo Filter-less Class-D Audio Power Amplifier with Auto-Recovery

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EUTECHEutech Microelectronics Inc

德信科技德信科技股份有限公司

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. PolyfetTMrocess features gold metal for greatly extended lifetim

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POLYFET

Integrated Circuit 7-Channel Darlington Array/Driver

Description: The NTE2011 through NTE2015 are high–voltage, high–current Darlington arrays in a 16–Lead DIP type package and are comprised of seven silicon NPN Darlington pairs on a common monolithic sub strate. All units have open–collector outputs and integral diodes for inductive load transie

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NTE

SCRs 1-70 AMPS NON-SENSITIVE GATE

Features ● Electrically Isolated Packages ● High Voltage Capability - 30 - 600 Volts ● High Surge Capability - up to 950 Amps ● Glass Passivated Chip

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TECCOR