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厂商型号

F2012

功能描述

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

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POLYFET

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2026-1-25 20:00:00

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F2012规格书详情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. PolyfetTMrocess features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Ft enhance broadband performance

产品属性

  • 型号:

    F2012

  • 制造商:

    POLYFET

  • 制造商全称:

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述:

    PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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