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EMH2	文件：64.91 Kbytes Page：3 Pages	丝印：H2；Package：EMT6；General purpose (dual digital transistors) Features 1)TwoDTC144EschipsinaEMTorUMTor SMTpackage. 2)MountingpossiblewithEMT3orUMT3or SMT3automaticmountingmachines. 3)Transistorelementsareindependent, eliminatinginterference. 4)Mountingcostandareacanbecutinhalf. Application INVERTER,INTERFAC	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
EMH2	文件：318.34 Kbytes Page：1 Pages	General purpose transistors (dual transistors) Generalpurposetransistors(dualtransistors) FEATURES ●TwoDTC144Eschipinapackage ●MountingpossiblewithSOT-563automaticmountingmachines. ●Transistorelementsareindependent,eliminatinginterference. ●Mountingcostandareabecutinhalf.	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
EMH2	文件：3.74233 Mbytes Page：3 Pages	Dual Digital Transistors (NPNNPN) DualDigitalTransistors(NPN+NPN) FEATURES ●TwoDTC144Eschipinapackage ●MountingpossiblewithSOT-563automaticmountingmachines ●Transistorelementsareindependent,eliminatinginterference ●Mountingcostandareabecutinhalf	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
EMH2	文件：681.81 Kbytes Page：8 Pages	丝印：H2；Package：EMT6；NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors Features 1)TwoDTC144EschipsinaEMTorUMTor SMTpackage. 2)MountingpossiblewithEMT3orUMT3or SMT3automaticmountingmachines. 3)Transistorelementsareindependent, eliminatinginterference. 4)Mountingcostandareacanbecutinhalf. Application INVERTER,INTERFAC	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
EMH2	文件：482.03 Kbytes Page：8 Pages	丝印：H2；Package：EMT6；NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Features 1)TwoDTC144EschipsinaEMTorUMTor SMTpackage. 2)MountingpossiblewithEMT3orUMT3or SMT3automaticmountingmachines. 3)Transistorelementsareindependent, eliminatinginterference. 4)Mountingcostandareacanbecutinhalf. Application INVERTER,INTERFAC	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
EMH2	文件：523.12 Kbytes Page：4 Pages	丝印：H2；Package：SOT-563；Dual Digital transistors (built-in resistors)	FS First Silicon Co., Ltd	FS
EMH2	文件：482.03 Kbytes Page：8 Pages	丝印：H2；Package：EMT6；NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
EMH2	文件：1.25881 Mbytes Page：11 Pages	丝印：H2；Package：EMT6；General purpose (dual digital transistors)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
EMH2301	文件：42.74 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •TheEMH2301incorporatesaP-channelMOSFETthatfeaturelowON-resistanceandultrahigh-speedswitching,therebyenablinghigh-densitymounting. •1.8Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
EMH2302	文件：42.36 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device P-ChannelSiliconMOSFET General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •TheEMH2302incorporatesaP-channelMOSFETthatfeaturelowON-resistanceandultrahigh-speedswitching,therebyenablinghigh-densitymounting. •4Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO

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技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
P-Channel Power MOSFET
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
-20
VGS Max (V)：
10
VGS(th) Max (V)：
1.3
ID Max (A)：
-3
PD Max (W)：
1
GS = 2.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)：
320
Package Type：
SOT-383FL / EMH-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市华来深电子有限公司	EMH2	ROHM	25+	SMD	20000	专做罗姆，一系列可以订货排单，只做原装正品假一罚十	询价
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更多EMH2供应商更新时间2025-7-28 14:28:00

技术参数

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