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EMH2302	文件：42.36 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device P-ChannelSiliconMOSFET General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •TheEMH2302incorporatesaP-channelMOSFETthatfeaturelowON-resistanceandultrahigh-speedswitching,therebyenablinghigh-densitymounting. •4Vdrive.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
2302	文件：76.13 Kbytes Page：2 Pages	2.0Watt-20Volts,ClassCMicrowave2300MHz GENERALDESCRIPTION The2302isaCOMMONBASEtransistorcapableofproviding2WattsClassC,RFoutputpowerat2300MHz.Goldmetalizationanddiffusedballastingareusedtoprovidehighreliabilityandsupremeruggedness.ThetransistorusesafullyhermeticHighTemperatureSolderSealedpa	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
2302	文件：78.97 Kbytes Page：2 Pages	2.0Watt-20Volts,ClassCMicrowave2300MHz	GHZTECHGHz Technology GHz Technology
2302	文件：110.94 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELMOSFETN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
2302	文件：310.86 Kbytes Page：2 Pages	20VN-ChannelEnhancementMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司
2302	文件：116.22 Kbytes Page：1 Pages	NylonHoseClamps	Heyco Heyco
2302B	文件：256.75 Kbytes Page：3 Pages	30VN-ChannelEnhancementMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司
2302-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
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2302-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2302-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductorsHorizontalorverticalmount	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2302-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
ACE2302	文件：205.72 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.
ACE2302	文件：428.93 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.
ACE2302B	文件：649.33 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.
ACE2302BBM+H	文件：2.18303 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters •LoadSwitchforPortableApplications	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
ACE2302BBM-H	文件：2.18303 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters •LoadSwitchforPortableApplications	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
ACE2302BM+H	文件：428.93 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.
ACE2302BM+H	文件：205.72 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.
ACE2302C	文件：657.32 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.

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详细参数

型号：
EMH2302
制造商：
SANYO
制造商全称：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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