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EMH2308	文件：553.24 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET Features • The EMH2308 incorporates a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance and ultrahigh-speed switching, thereby enabling high-density mounting • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：553.24 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EMH2308	文件：280.98 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • The EMH2308 incorporates a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance and ultrahigh-speed switching, thereby enabling high-density mounting • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：280.98 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
EMH2308-TL-H	文件：553.24 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET Features • The EMH2308 incorporates a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance and ultrahigh-speed switching, thereby enabling high-density mounting • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：553.24 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EMH2314	文件：769.59 Kbytes Page：5 Pages	Dual P-Channel Power MOSFET Features • ON-resistance RDS(on)1=28mΩ(typ.) • Halogen free compliance • 1.8V drive • Protection Diode in 文件：769.59 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EMH2314	文件：518.73 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance RDS(on)1=28mΩ(typ.) • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection Diode in 文件：518.73 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
EMH2314-TL-H	文件：769.59 Kbytes Page：5 Pages	Dual P-Channel Power MOSFET Features • ON-resistance RDS(on)1=28mΩ(typ.) • Halogen free compliance • 1.8V drive • Protection Diode in 文件：769.59 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EMH2401	文件：38.51 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device General-Purpose Switching Device Applications Features • The EMH2401 incorporates an N-channel MOSFET that feature low ON-resistance and ultrahigh-speed switching, thereby enabling high-density mounting. • 1.8V drive. 文件：38.51 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
EMH2402	文件：43.88 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device General-Purpose Switching Device Applications Features • The EMH2402 incorporates an N-channel MOSFET that feature low ON-resistance and ultrahigh-speed switching, thereby enabling high-density mounting. • 4V drive. 文件：43.88 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
EMH2407	文件：556.31 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET Features • Low ON-resistance • Best suited for LiB charging and discharging switch • Common-drain type • 2.5V drive • Protection diode in 文件：556.31 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EMH2407	文件：99.43 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance • Best suited for LiB charging and discharging switch • Common-drain type • 2.5V drive • Protection diode in 文件：99.43 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO

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技术参数

封装：
EMT6
包装数量：
8000
最小独立包装数量：
8000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-563
JEITA Package：
SC-107C
Number of terminal：
6
Polarity：
NPN+NPN
Supply voltage VCC 1[V]：
50
Collector current Io (Ic) [A]：
0.1
Input resistance R1 1 [kΩ]：
47
Emitter base Resistance R2 1 [kΩ]：
47
Supply voltage VCC 2[V]：
50
Collector current IC 2[A]：
0.1
Input resistance R1 2 [kΩ]：
47
Emitter base Resistance R2 2 [kΩ]：
47
Power Dissipation (PD)[W]：
0.15
Mounting Style：
Surface mount
Equivalent (Single Part)：
DTC144E / DTC144E
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
1.6x1.6 (t=0.55)

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更多EMH2供应商更新时间2025-12-2 8:02:00

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