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EMDA5N10A	文件：230.44 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)150mΩ ID10A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMDA5N10F	文件：205.29 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)150mΩ ID10A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
LMTL5N10	文件：7.08509 Mbytes Page：5 Pages	100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
MTBA5N10FP	文件：356.12 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTBA5N10FP-K	文件：356.12 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTD5N10	文件：344.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.5Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,p	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PJW5N10	文件：405.63 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJW5N10	文件：419.42 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@2.5A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJW5N10A	文件：857.43 Kbytes Page：7 Pages	100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@4A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJW5N10-AU	文件：488.68 Kbytes Page：7 Pages	100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET RDS(ON),VGS@10V,ID@2.5A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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