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EMD06N60F	文件：177.2 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 600V RDSON (MAX.) 1.55Ω ID 6A UIS, 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：177.2 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMD06N60F	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
SKB06N60	文件：278.56 Kbytes Page：13 Pages	Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode 文件：278.56 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SKP06N60	文件：459.14 Kbytes Page：15 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode •75 lower Eoffcompared to previous generation combined with low conduction losses •Short circuit withstand time – 10 µs •Designed for: Motor controls, Inverter •NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable beh 文件：459.14 Kbytes 页数：15 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
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