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SKP06N60	文件：459.14 Kbytes Page：15 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode •75 lower Eoffcompared to previous generation combined with low conduction losses •Short circuit withstand time – 10 µs •Designed for: Motor controls, Inverter •NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable beh 文件：459.14 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SKP06N60	文件：278.56 Kbytes Page：13 Pages	Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode 文件：278.56 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SKP06N60	文件：467.34 Kbytes Page：15 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode 文件：467.34 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SKP06N60	文件：687.1 Kbytes Page：16 Pages	丝印：K06N60；Package：PG-TO-220-3-1；Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode 文件：687.1 Kbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SKP06N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立式IGBT Infineon provides a huge IGBT portfolio addressing Soft Switching/Resonant and Hard Switching Topologies. ·30% lower E off compared to previous generation\n ·Short circuit withstand time – 10μs\n ·Designed for operation above 30kHz\n ·High ruggedness, temperature stable behaviour\n ·Pb-free lead plating; RoHS compliant\n ·Qualified according to JEDEC for target applications;	Infineon 英飞凌	Infineon
SKP06N60_07	文件：467.34 Kbytes Page：15 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode 文件：467.34 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SKP06N60_V01	文件：687.1 Kbytes Page：16 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode 文件：687.1 Kbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SKP06N60XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 12A 68W TO220-3	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Switching Frequency min max：
10.0kHz 40.0kHz
Package ：
TO-220
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
6.9A
IC(@25°) max：
12.0A
ICpuls max：
24.0A
VCE(sat) ：
2.3V
Eon ：
0.17mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.15mJ
td(on) ：
24.0ns
tr ：
17.0ns
td(off) ：
248.0ns
tf ：
70.0ns
QGate ：
32.0nC
IF max：
12.0A
IFpuls max：
24.0A
VF ：
1.4V
Qrr ：
200.0nC
Irrm ：
2.8A
VCE max：
600.0V

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