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SKB06N60	文件：459.14 Kbytes Page：15 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode •75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor:Motorcontrols,Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebeh	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SKB06N60	文件：278.56 Kbytes Page：13 Pages	Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SKB06N60HS	文件：1.1957 Mbytes Page：14 Pages	High Speed IGBT in NPT-technology 30 lower Eoff compared to previous generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SKB06N60HS	文件：356.49 Kbytes Page：14 Pages	High Speed IGBT in NPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SKB06N60HS_07	文件：1.1957 Mbytes Page：14 Pages	High Speed IGBT in NPT-technology 30 lower Eoff compared to previous generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SKB06N60ATMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 12A 68W TO263-3-2	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
SKB06N60
功能描述：
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 6A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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