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EMBJ7N25J	文件：176.62 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 250V RDSON (MAX.) 1.7Ω ID 0.4A Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：176.62 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMBJ7N25J	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
FDD7N25LZ	文件：757.97 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel UniFETTM MOSFET 250 V, 6.2 A, 550 mΩ Features • RDS(on) = 430 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 3.1 A • Low Gate Charge (Typ. 12 nC) • Low Crss (Typ. 8 pF) • 100% Avalanche Tested • Improved dv/dt Capability • ESD Improved Capability • RoHS Compliant Applications • LCD/LED/PDP TV • Consumer Appliances • Lighting • Uninte 文件：757.97 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDD7N25LZTM	文件：329.12 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel UniFET MOSFET 文件：329.12 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD7N25LZTM	文件：757.97 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel UniFETTM MOSFET 250 V, 6.2 A, 550 mΩ Features • RDS(on) = 430 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 3.1 A • Low Gate Charge (Typ. 12 nC) • Low Crss (Typ. 8 pF) • 100% Avalanche Tested • Improved dv/dt Capability • ESD Improved Capability • RoHS Compliant Applications • LCD/LED/PDP TV • Consumer Appliances • Lighting • Uninte 文件：757.97 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Channel：
Single N
BVDSS(V)：
250
VGS(±V)：
20
ID(A)：
0.4
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
1700
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
2000
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
17.8
CissTyp.(pF)：
680

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