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EMB80P03JS	文件：199.18 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS ‐30V RDSON (MAX.) 85mΩ ID ‐3.6A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：199.18 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB80P03JS	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-P Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
EMB80P03VAT	文件：186.02 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS ‐30V RDSON (MAX.) 85mΩ ID ‐3.6A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：186.02 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
G80P03K	文件：621.66 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G80P03K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：621.66 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
TF80P03	文件：3.79402 Mbytes Page：6 Pages	P -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET ● General Description Th e TF80P03 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDSON .This device is ideal for load switch and battery protection applications. ● Features Advance high cell densityTrench technology Low RDS(ON) to minimi 文件：3.79402 Mbytes 页数：6 Pages	TUOFENG 拓锋半导体	TUOFENG

技术参数

Channel：
Single P
BVDSS(V)：
-30
VGS(±V)：
20
ID(A)：
-3.6
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
85
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
145
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
5.1
CissTyp.(pF)：
337

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	EMB80P03JS	EMC	23+	SOT23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威雅利发展有限公司	EMB80P03JS	EMC	1918+	SOT23	3000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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更多EMB80P03JS供应商更新时间2025-10-6 11:00:00

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