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TF80P03	文件：3.79402 Mbytes Page：6 Pages	Marking：80N03；Package：TO-251；P -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET ●GeneralDescription TheTF80P03combinesadvancedtrenchMOSFET technologywithalowresistancepackagetoprovide extremelylowRDSON.Thisdeviceisidealforloadswitch andbatteryprotectionapplications. ●Features AdvancehighcelldensityTrenchtechnology LowRDS(ON)tominimi	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
EMB80P03G	文件：211.45 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS‐30V RDSON(MAX.)80mΩ ID‐3.5A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB80P03J	文件：198.33 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS‐30V RDSON(MAX.)85mΩ ID‐3.6A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB80P03JS	文件：199.18 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS‐30V RDSON(MAX.)85mΩ ID‐3.6A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB80P03VAT	文件：186.02 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS‐30V RDSON(MAX.)85mΩ ID‐3.6A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
G80P03K	文件：621.66 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheG80P03Kusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
WSC80P03	文件：581.39 Kbytes Page：5 Pages	P-ChMOSFET	WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微硕半导体微硕半导体（深圳）有限公司	WIINSOK

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