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MTB50P03HDLG	文件：143.96 Kbytes Page：9 Pages	P-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB50P03HDLG	文件：96.15 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET50Amps,30Volts,LogicLevelP?묬hannelD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP50P03HDL	文件：294.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP50P03HDL	文件：131.72 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL50AMPERES30VOLTSRDS(on)=0.025OHM HDTMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecover	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP50P03HDL	文件：91.41 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET50Amps,30Volts,LogicLevelP-ChannelTO-220	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NP50P03YDG	文件：238.04 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP50P03YDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=8.4mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−25A) •LowCiss:Ciss=2300pFTYP.(VDS=−25V,VGS=0V) •Designedforautomotiveapp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
SPD50P03L	文件：77.21 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS-PPower-Transistor Feature •P-Channel •Enhancementmode •LogicLevel •Highcurrentrating •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD50P03LG	文件：633.91 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-PPower-Transistor Features •P-Channel •Enhancementmode •Logiclevel •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated •Highcurrentrating •Pb-freelead-plating,RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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