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MTP50P03HDL	文件：294.53 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MTP50P03HDL	文件：131.72 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 50 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 0.025 OHM HDTMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecover	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MTP50P03HDL	文件：91.41 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level P-Channel TO-220	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MTP50P03HDLG	文件：91.41 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level P-Channel TO-220	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
50P03	文件：1.0229 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
50P03L	文件：1.02287 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
CEB50P03	文件：104.25 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-47A,RDS(ON)=20mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=32mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEB50P03	文件：967.38 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
CEB50P03	文件：900.88 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-47A,RDS(ON)=20mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=32mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEP50P03	文件：104.25 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-47A,RDS(ON)=20mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=32mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEP50P03	文件：900.88 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-47A,RDS(ON)=20mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=32mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CJAC50P03	文件：1.72149 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelPowerMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
EMB50P03G	文件：213.14 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS‐30V RDSON(MAX.)60mΩ ID‐6A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司
EMB50P03J	文件：198.13 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司
EMB50P03JS	文件：198.66 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS‐30V RDSON(MAX.)50mΩ ID‐4.5A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司
EMB50P03K	文件：202.48 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司
EMB50P03VAT	文件：185.37 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司
HM50P03	文件：1.24973 Mbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司
HM50P03D	文件：502.28 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司
HM50P03K	文件：1.04593 Mbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

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详细参数

型号：
MTP50P03HDL
功能描述：
MOSFET 30V 50A P-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
海芯未来半导体电子（深圳）有限公司	MTP50P03HDL	ON	1503+	TO220AB	21935		询价
深圳市特顺芯科技有限公司	MTP50P03HDL		08+(pbfree)		8866		询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	MTP50P03HDL	ON	23+	TO220AB	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	MTP50P03HDL	ON	23+	TO-220	6893		询价
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