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MTB50P03HDLG	文件：96.15 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level P?묬hannel D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB50P03HDLG	文件：143.96 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP50P03HDL	文件：294.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP50P03HDL	文件：91.41 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET50Amps,30Volts,LogicLevelP-ChannelTO-220	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP50P03HDL	文件：131.72 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL50AMPERES30VOLTSRDS(on)=0.025OHM HDTMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecover	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP50P03HDLG	文件：91.41 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET50Amps,30Volts,LogicLevelP-ChannelTO-220	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NP50P03YDG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP50P03YDG	文件：238.04 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP50P03YDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=8.4mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−25A) •LowCiss:Ciss=2300pFTYP.(VDS=−25V,VGS=0V) •Designedforautomotiveapp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
SPD50P03L	文件：77.21 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS-PPower-Transistor Feature •P-Channel •Enhancementmode •LogicLevel •Highcurrentrating •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD50P03LG	文件：391.1 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS짰-PPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
MTB50P03HDLG
功能描述：
MOSFET PFET 30V 50A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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