OptiMOS-P Power - Transistor

Feature • P-Channel • Enhancement mode • Logic Level • High current rating • 175°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated

文件：77.21 Kbytes 页数：8 Pages

INFINEON

英飞凌

OptiMOS-P Power-Transistor

Features • P-Channel • Enhancement mode • Logic level • 175°C operating temperature • Avalanche rated • dv /dt rated • High current rating • Pb-free lead-plating, RoHS compliant

文件：633.91 Kbytes 页数：9 Pages

INFINEON

英飞凌

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

文件：1.78852 Mbytes 页数：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

OptiMOS짰-P Power-Transistor

文件：391.1 Kbytes 页数：9 Pages

INFINEON

英飞凌

OptiMOS짰-P Power-Transistor

文件：391.1 Kbytes 页数：9 Pages

INFINEON

英飞凌

OptiMOS-P Power - Transistor

Infineon

英飞凌

20V-250V P-Channel Power MOSFET

英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 小信号封装，经 AEC Q101 认证\n\n优势:;

Infineon

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OptiMOS-P Power-Transistor

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