首页 >SPD50P03LG>规格书列表

零件编号下载&订购功能描述制造商&上传企业LOGO

SPD50P03LG

OptiMOS-P Power-Transistor

Features •P-Channel •Enhancementmode •Logiclevel •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated •Highcurrentrating •Pb-freelead-plating,RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

SPD50P03LG

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

SPD50P03LG

OptiMOS짰-P Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

SPD50P03LG_12

OptiMOS짰-P Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

50P03

P-Channel30V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

50P03L

P-Channel30V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

CEB50P03

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-30V,-47A,RDS(ON)=20mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=32mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.

CETCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CEB50P03

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

CEB50P03

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -30V,-47A,RDS(ON)=20mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=32mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEP50P03

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-30V,-47A,RDS(ON)=20mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=32mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.

CETCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CEP50P03

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -30V,-47A,RDS(ON)=20mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=32mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CJAC50P03

P-ChannelPowerMOSFET

JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

EMB50P03G

P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS‐30V RDSON(MAX.)60mΩ ID‐6A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMB50P03J

P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMB50P03JS

P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS‐30V RDSON(MAX.)50mΩ ID‐4.5A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMB50P03K

P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMB50P03VAT

P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

HM50P03

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

HM50P03D

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

HM50P03K

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

详细参数

  • 型号:

    SPD50P03LG

  • 制造商:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    MOSFET P-Channel 30V 50A Logic TO252-5

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 30V 50A TO-252

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
14548
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。
询价
INFINEON/英飞凌
2021+
SOT-252
17997
原装进口假一罚十
询价
INFINEO
21+
TO-252
4694
询价
INENOI
20+
SOT252-5P
6800
全新原装,价格优势
询价
INFINEON/英飞凌
2024+实力库存
TO-252-5
5080
只做原厂渠道 可追溯货源
询价
Infineon(英飞凌)
22+
N/A
12000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
Infineon(英飞凌)
23+
NA
7000
原装正品!假一罚十!
询价
英飞凌
20+
TO-252
2440
只做原装正品
询价
INFINEON/英飞凌
21+23+
TO-252
6530
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品
询价
INF
2017+
TO-252-4
25899
深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增
询价
更多SPD50P03LG供应商 更新时间2024-5-14 17:39:00