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EMB37N06A	文件：224.89 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 37mΩ ID 20A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：224.89 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB37N06A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
PHB37N06T	文件：69.18 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOS transistor Standard level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode standard level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting. Using ’trench’ technology the device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection up to 2kV. It is intended 文件：69.18 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
PHP37N06	文件：79.11 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device has very low on-state resistance. It is intended for use in dc to dc converters and general purpose switching applications. The PHP37N06LT is sup 文件：79.11 Kbytes 页数：10 Pages	PHI PHI	PHI
PHP37N06T	文件：65.019 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOS transistor Standard level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection up to 2kV. It is intended for use in DC-DC converters a 文件：65.019 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI

技术参数

Channel：
Single N
BVDSS(V)：
60
VGS(±V)：
20
ID(A)：
20
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
37
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
50
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
29
CissTyp.(pF)：
1112

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