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EMB12N04A

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 40V RDSON (MAX.) 12mΩ ID 30A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

文件:214.38 Kbytes 页数:6 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

EMB12N04A

Power MOSFETs-N Channel

Excelliance MOS

杰力科技

EMB12N04G

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:182.36 Kbytes 页数:5 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

EMB12N04V

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 40V RDSON (MAX.) 12.8mΩ ID 18A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

文件:197.8 Kbytes 页数:5 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

ME12N04

N-Channel 4 0-V (D-S) MOSFET

文件:1.64122 Mbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

技术参数

  • Channel:

    Single N

  • BVDSS(V):

    40

  • VGS(±V):

    20

  • ID(A):

    30

  • RDS(ON)(10V) Max.(mΩ):

    12

  • RDS(ON)(5V) Max.(mΩ):

     

  • RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ):

    20

  • RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ):

     

  • Qg(10V)Typ.(nC):

    24

  • CissTyp.(pF):

    1090

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
EMC
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TO252
8660
只做原装进口,假一罚十
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E
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TO-252
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TO-252
5200
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更多EMB12N04A供应商 更新时间2025-10-5 15:09:00