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EMB12N04V	文件：197.8 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor ProductSummary: BVDSS40V RDSON(MAX.)12.8mΩ ID18A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB12N04V	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel;	Excelliance MOSExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	Excelliance MOS
EMB12N04A	文件：214.38 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS40V RDSON(MAX.)12mΩ ID30A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB12N04G	文件：182.36 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
ME12N04	文件：1.64122 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel40-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RKJXK12N04	文件：117.77 Kbytes Page：1 Pages	Compactdesignwithagoodspacefactor	PRODUCTWELL Productwell Precision Elect.CO.,LTD	PRODUCTWELL
YFW12N04ES	文件：1.67076 Mbytes Page：5 Pages	42VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Application LEDlamp Switchtube LEDpowersupply	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE

技术参数

Channel：
Single N
BVDSS(V)：
40
VGS(±V)：
20
ID(A)：
18
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
12.8
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
25
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
24
CissTyp.(pF)：
1090

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更多EMB12N04V供应商更新时间2025-7-28 14:01:00

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