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EMB12N04G	文件：182.36 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：182.36 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB12N04G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
EMB12N04V	文件：197.8 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 40V RDSON (MAX.) 12.8mΩ ID 18A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：197.8 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
ME12N04	文件：1.64122 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 4 0-V (D-S) MOSFET 文件：1.64122 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RKJXK12N04	文件：117.77 Kbytes Page：1 Pages	Compact design with a good space factor 文件：117.77 Kbytes 页数：1 Pages	PRODUCTWELL	PRODUCTWELL

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更多EMB12N04G供应商更新时间2025-10-9 16:45:00