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EMB12P04A	文件：223.72 Kbytes Page：6 Pages	P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor ProductSummary: BVDSS‐40V RDSON(MAX.)12.6mΩ ID‐25A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB1412	文件：370.45 Kbytes Page：17 Pages	EMB1412 MOSFET Gate Driver 1Features 1•CompoundCMOSandBipolarOutputsReduce OutputCurrentVariation •7ASink/3ASourceCurrent •FastPropagationTimes(25nsTypical) •FastRiseandFallTimes(14ns/12nsRise/Fall with2nFLoad) •InvertingandNon-InvertingInputsProvideEither Configurationwitha	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
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技术参数

Status：
可购买
封装：
EMT6
包装数量：
8000
最小独立包装数量：
8000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Automotive
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Package Code：
SOT-563
JEITA Package：
SC-107C
Package Size[mm]：
1.6x1.6 (t=0.5)
Number of terminal：
6
Polarity：
PNP+PNP
Supply voltage VCC 1[V]：
-50.0
Collector current Io (Ic) [A]：
-0.1
Input resistance R1 1[kΩ]：
2.2
Emitter base Resistance R2 1[kΩ]：
47.0
Supply voltage VCC 2[V]：
-50.0
Collector current IC 2[A]：
-0.1
Input resistance R1 2[kΩ]：
2.2
Emitter base Resistance R2 2[kΩ]：
47.0
Power Dissipation (PD)[W]：
0.15
Mounting Style：
Surface mount
Equivalent (Single Part)：
DTA123J / DTA123J
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多EMB1供应商更新时间2025-7-28 15:14:00

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