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EMB10	文件：73.58 Kbytes Page：3 Pages	丝印：B10；Package：EMT6；General purpose (dual digital transistors) Features 1)TwoDTA123JchipsinaEMTorUMTorSMTpackage. 2)MountingpossiblewithEMT3orUMT3orSMT3automaticmountingmachines. 3)Transistorelementsareindependent,eliminatinginterference. 4)Mountingcostandareacanbecutinhalf. Application INVERTER,INTERFACE,DRIVE	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
EMB10FHA	文件：1.50031 Mbytes Page：10 Pages	丝印：B10；Package：EMT6；PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors lFeatures 1)Built-InBiasingResistors. 2)TwoDTA123Jchipsinonepackage. 3)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationof aninvertercircuitwithoutconnectingexternal inputresistors(seeinnercircuit). 4)Thebiasresistorsconsistofthin-filmresistors withcompleteisolat	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
EMB11	文件：74.33 Kbytes Page：3 Pages	丝印：B11；Package：EMT6；General purpose (dual digital transistors) Features 1)TwoDTA114EchipsinaEMTorUMTorSMTpackage. 2)MountingpossiblewithEMT3orUMT3orSMT3automaticmountingmachines. 3)Transistorelementsareindependent,eliminatinginterference. 4)Mountingcostandareacanbecutinhalf.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
EMB11	文件：486.32 Kbytes Page：8 Pages	丝印：B11；Package：EMT6；PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors Features 1)TwoDTA114EchipsinaEMTorUMTorSMTpackage. 2)MountingpossiblewithEMT3orUMT3orSMT3automaticmountingmachines. 3)Transistorelementsareindependent,eliminatinginterference. 4)Mountingcostandareacanbecutinhalf.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
EMB11	文件：1.56923 Mbytes Page：11 Pages	丝印：B11；Package：EMT6；General purpose Dual digital transistors Features 1)TwoDTA114EchipsinaEMTorUMTorSMTpackage. 2)MountingpossiblewithEMT3orUMT3orSMT3automaticmountingmachines. 3)Transistorelementsareindependent,eliminatinginterference. 4)Mountingcostandareacanbecutinhalf.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
EMB11A03G	文件：202.07 Kbytes Page：5 Pages	Dual N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)11mΩ ID12A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB12K03GP	文件：220.41 Kbytes Page：8 Pages	Dual Asymmetric N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor ProductSummary: N‐CH‐Q1N‐CH‐Q2 BVDSS30V30V RDSON(MAX.)15.5mΩ12.5mΩ ID9A10A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB12K03V	文件：207.84 Kbytes Page：8 Pages	Dual N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor ProductSummary: N‐CH‐Q1N‐CH‐Q2 BVDSS30V30V RDSON(MAX.)12mΩ17mΩ ID12A10A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB12N03A	文件：222.01 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)12mΩ ID25A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB12N03G	文件：191.82 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)12mΩ ID12A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE

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技术参数

Status：
可购买
封装：
EMT6
包装数量：
8000
最小独立包装数量：
8000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Automotive
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Package Code：
SOT-563
JEITA Package：
SC-107C
Package Size[mm]：
1.6x1.6 (t=0.5)
Number of terminal：
6
Polarity：
PNP+PNP
Supply voltage VCC 1[V]：
-50.0
Collector current Io (Ic) [A]：
-0.1
Input resistance R1 1[kΩ]：
2.2
Emitter base Resistance R2 1[kΩ]：
47.0
Supply voltage VCC 2[V]：
-50.0
Collector current IC 2[A]：
-0.1
Input resistance R1 2[kΩ]：
2.2
Emitter base Resistance R2 2[kΩ]：
47.0
Power Dissipation (PD)[W]：
0.15
Mounting Style：
Surface mount
Equivalent (Single Part)：
DTA123J / DTA123J
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多EMB1供应商更新时间2025-7-28 15:14:00

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