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EFC8811R	文件：527.88 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：527.88 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EFC8811R	文件：479.63 Kbytes Page：6 Pages	Dual N-Channel Power MOSFET 文件：479.63 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EFC8811R_16	文件：527.88 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：527.88 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EFC8811R-TF	文件：527.88 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：527.88 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EFC8811R-TF	文件：479.63 Kbytes Page：6 Pages	Dual N-Channel Power MOSFET 文件：479.63 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EFC8811R	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N-Channel Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection, 12 V, 27 A, 3.2 mΩ This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is suitable for applications such as power switches of portable machines. Best suited for 1-cell lithium-ion battery applications. • 2.5 V drive\n• Suites for Li-Ion battery pack protection circuit (1 cell, 2 cell)\n• ESD Diode-Protected Gate\n• Stronger to ESD\n• Common-Drain Type\n• Best suited for Li-Ion battery pack protection circuit\n• RoHS compliance\n• Environmental consideration\n• 2 kV ESD HBM;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EFC8811R-TF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-SMD，无引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 阵列描述：MOSFET 2N-CH 6CSP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Dual Common Drain
V(BR)DSS Min (V)：
12
VGS Max (V)：
8
VGS(th) Max (V)：
1.3
ID Max (A)：
27
PD Max (W)：
2.5
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=6.3
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=3.2
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
12
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
100
Package Type：
CSP-6

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更多EFC8811R供应商更新时间2025-12-2 16:04:00

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