EFC8811R分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-阵列规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
EFC8811R |
| 参数属性 | EFC8811R 封装/外壳为6-SMD，无引线；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列；产品描述：MOSFET 2N-CH 6CSP |
| 功能描述 | Power MOSFET |
| 文件大小 |
527.88 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-23 23:00:00 |
EFC8811R规格书详情
EFC8811R属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列。安森美半导体公司制造生产的EFC8811R晶体管 - FET，MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。
产品属性
- 产品编号：
EFC8811R-TF
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- FET 类型：
2 N 沟道（双）共漏
- FET 功能：
逻辑电平栅极，2.5V 驱动
- 功率 - 最大值：
2.5W
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
6-SMD，无引线
- 供应商器件封装：
6-CSP（1.77x3.54）
- 描述：
MOSFET 2N-CH 6CSP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
23+ |
CSP6 |
7350 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
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ON/安森美 |
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WLCSP6 |
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ON/安森美 |
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WLCSP6 |
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ON/安森美 |
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WLCSP6 |
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ON(安森美) |
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ON(安森美) |
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