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EFC8811R数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列规格书PDF

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厂商型号

EFC8811R

参数属性

EFC8811R 封装/外壳为6-SMD,无引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列;产品描述:MOSFET 2N-CH 6CSP

功能描述

Dual N-Channel Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection, 12 V, 27 A, 3.2 mΩ
MOSFET 2N-CH 6CSP

封装外壳

6-SMD,无引线

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-17 13:18:00

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EFC8811R规格书详情

描述 Description

This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is suitable for applications such as power switches of portable machines. Best suited for 1-cell lithium-ion battery applications.

特性 Features

• 2.5 V drive
• Suites for Li-Ion battery pack protection circuit (1 cell, 2 cell)
• ESD Diode-Protected Gate
• Stronger to ESD
• Common-Drain Type
• Best suited for Li-Ion battery pack protection circuit
• RoHS compliance
• Environmental consideration
• 2 kV ESD HBM

应用 Application

• 1-Cell Lithium-ion Battery Charging and Discharging Switch
• Single Cell Lithium-ion Battery Equipments

简介

EFC8811R属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的EFC8811R晶体管 - FET,MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :EFC8811R

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual Common Drain

  • V(BR)DSS Min (V)

    :12

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :1.3

  • ID Max (A)

    :27

  • PD Max (W)

    :2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=6.3

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=3.2

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :12

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :100

  • Ciss Typ (pF)

    :-

  • Package Type

    :CSP-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
2021/2022+
标准封装
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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标准封装
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