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EFC6605R数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列规格书PDF

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厂商型号

EFC6605R

参数属性

EFC6605R 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列;产品描述:MOSFET N-CH DUAL 10A 24V 6XFLGA

功能描述

双 N 沟道,功率 MOSFET,20V,10A,13.3mΩ
MOSFET N-CH DUAL 10A 24V 6XFLGA

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 18:15:00

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EFC6605R规格书详情

描述 Description

EFC6605R is N-Channel Power MOSFET, 20V, 10A, 13.3mΩ, Dual EFCP.

特性 Features

2.5V drive
Suites for Li-Ion battery pack protection circuit(1cell, 2cell)
Protection diode in
Best suited for Li-Ion battery pack protection circuit
Common-drain type
Stronger to ESD

应用 Application

Lithium-ion battery charging and discharging switch
lithium ion battery - Smart Phone,Tablet PC,Digital still camera, etc.

简介

EFC6605R属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的EFC6605R晶体管 - FET,MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :EFC6605R

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual Common Drain

  • V(BR)DSS Min (V)

    :20

  • VGS Max (V)

    :10

  • VGS(th) Max (V)

    :1.3

  • ID Max (A)

    :10

  • PD Max (W)

    :1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=17.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=13.3

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :100

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :19.8

  • Ciss Typ (pF)

    :-

  • Package Type

    :XFLGA-6

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