EFC4619R数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
EFC4619R |
| 参数属性 | EFC4619R 封装/外壳为4-XFBGA，FCBGA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET N-CH 24V 6A EFCP |
| 功能描述 | 双 N 沟道，功率 MOSFET，24V，6A，23mΩ |
| 封装外壳 | 4-XFBGA，FCBGA |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-11 19:11:00 |
| 人工找货 | EFC4619R价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
EFC4619R规格书详情
描述 Description
EFC4619R is N-Channel Power MOSFET, 24V, 6A, 23mΩ Dual EFCP for Lithium-ion battery charging and discharging switch.
特性 Features
• 2.5V drive
• Protection diode in
• Common-drain type
简介
EFC4619R属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的EFC4619R晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
：EFC4619R
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual Common Drain
- V(BR)DSS Min (V)
：24
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：1.3
- ID Max (A)
：6
- PD Max (W)
：1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=35
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=23
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：7.5
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：21.7
- Ciss Typ (pF)
：-
- Package Type
：XFLGA-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
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