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EFC2J013NUZ数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

EFC2J013NUZ

功能描述

双 N 沟道功率 MOSFET 12V,17A,5.8mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 17:38:00

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EFC2J013NUZ规格书详情

描述 Description

This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is suitable for applications such as power switches of portable machines. Best suited for 1-cell lithium-ion battery applications.

特性 Features

• High Speed Switching
• Reduces dynamic power losses
• Low Gate Charge
• Ease of drive, faster turn-on
• 2.5 V Drive
• 2 kV ESD HBM
• Common-Drain Type
• ESD Diode-Protected Gate
• RoHS compliance

应用 Application

• 1-Cell Lithium-ion Battery Charging and Discharging Switch
• Portable Machines

技术参数

  • 制造商编号

    :EFC2J013NUZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :12

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :1.3

  • ID Max (A)

    :17

  • PD Max (W)

    :1.8

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :9

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2= 5.8

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :75

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :37

  • Ciss Typ (pF)

    :-

  • Package Type

    :WLCSP-6

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