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EFC2J004NUZ中文资料Dual N-Channel Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection, 12 V, 14 A, 7.1 mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

EFC2J004NUZ

参数属性

EFC2J004NUZ 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列;产品描述:MOSFET NCH 12V WLCSP6 DUAL

功能描述

Dual N-Channel Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection, 12 V, 14 A, 7.1 mΩ
MOSFET NCH 12V WLCSP6 DUAL

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-29 22:59:00

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EFC2J004NUZ规格书详情

描述 Description

This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is suitable for applications such as power switches of portable machines. Best suited for 1-cell lithium-ion battery applications.

特性 Features

• Low on resistance
• Improves efficiency by reducing conduction losses.
• Low gate charge
• Ease of drive, faster turn-on
• WLCSP
• Minimalized mount area
• 2.5 V drive
• 2 kV ESD HBM
• Common-Drain Type
• ESD Diode-Protected Gate
• RoHS compliance

应用 Application

• 1-Cell Lithium-ion Battery Charging and Discharging Switch
• 充电宝
• Wearable Device

简介

EFC2J004NUZ属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的EFC2J004NUZ晶体管 - FET,MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :EFC2J004NUZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :12

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :1.3

  • ID Max (A)

    :15

  • PD Max (W)

    :1.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :11

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :5.9

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :36

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :-

  • Ciss Typ (pF)

    :-

  • Package Type

    :WLCSP-6

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