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EFC2J004NUZ中文资料Dual N-Channel Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection, 12 V, 14 A, 7.1 mΩ数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
EFC2J004NUZ |
参数属性 | EFC2J004NUZ 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列;产品描述:MOSFET NCH 12V WLCSP6 DUAL |
功能描述 | Dual N-Channel Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection, 12 V, 14 A, 7.1 mΩ |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-29 22:59:00 |
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EFC2J004NUZ规格书详情
描述 Description
This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is suitable for applications such as power switches of portable machines. Best suited for 1-cell lithium-ion battery applications.
特性 Features
• Low on resistance
• Improves efficiency by reducing conduction losses.
• Low gate charge
• Ease of drive, faster turn-on
• WLCSP
• Minimalized mount area
• 2.5 V drive
• 2 kV ESD HBM
• Common-Drain Type
• ESD Diode-Protected Gate
• RoHS compliance
应用 Application
• 1-Cell Lithium-ion Battery Charging and Discharging Switch
• 充电宝
• Wearable Device
简介
EFC2J004NUZ属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的EFC2J004NUZ晶体管 - FET,MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。
技术参数
更多- 制造商编号
:EFC2J004NUZ
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Dual
- V(BR)DSS Min (V)
:12
- VGS Max (V)
:8
- VGS(th) Max (V)
:1.3
- ID Max (A)
:15
- PD Max (W)
:1.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:11
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:5.9
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:36
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:-
- Ciss Typ (pF)
:-
- Package Type
:WLCSP-6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
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WLCSP6 |
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