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FSU10A60	文件：54.88 Kbytes Page：5 Pages	FRD-LowForwardVoltageDrop FEATURES FullyMoldedIsolationCase Ultra–FastRecovery LowForwardVoltageDrop LowPowerLoss,HighEfficiency *HighSurgeCapability	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
GCF10A60	文件：53.14 Kbytes Page：4 Pages	LowForwardVoltagedropDiode FEATURES SimilartoTO220ABCase DualDiodes–CathodeCommon Ultra–FastRecovery LowForwardVoltageDrop HighSurgeCapability 200Voltsthru600VoltsTypesAvailable	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
GSF10A60	文件：30.62 Kbytes Page：2 Pages	LowForwardVoltagedropDiode FEATURES SimilartoTO-220ABCase Ultra–FastRecovery LowForwardVoltageDrop LowPowerLoss,HighEfficiency HighSurgeCapability 200Voltsthru600VoltsTypesAvailable	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
GSF10A60B	文件：52.46 Kbytes Page：4 Pages	FRD-LowForwardVoltageDrop FEATURES SimilartoTO-220ABCase Ultra–FastRecovery LowForwardVoltageDrop LowPowerLoss,HighEfficiency HighSurgeCapability 200Voltsthru600VoltsTypesAvailable	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
GSIB10A60	文件：151.57 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASEGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERVoltage:50to1000VCurrent:10.0A	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI
ITK10A60W	文件：289.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.38Ω •EasytocontrolGateswitching •Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=0.5mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performancean	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
K10A60D	文件：164.35 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.58Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=6.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) •Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
K10A60W	文件：246.69 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS(DTMOS?? Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.327Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=0.5mA) Applications •SwitchingVoltageRegulators	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
S10A60	文件：227.98 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS(10A,30-60V) SchottkyBarrierRectifiers UsingtheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal.Thesestat-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingand	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
S10A60FR	文件：50.98 Kbytes Page：2 Pages	THREEPHASEFULLWAVEBRIDGERECTIFIERASSEMBLY	SENSITRON SENSITRON SEMICONDUCTOR	SENSITRON

技术参数

VRRM(V)：
600
VR(V)：
600
IO(A)：
10
IFSM(A)：
100
VF(V) Max.：
1.75
IF(A)：
10
IR(μA) Max：
5
IR(μA)Max_VR(V)：
600
trr(ns)Max.@RG1：
25
trr(ns)Max.@RG1_IF(A)：
0.5
trr(ns)Max.@RG1_IR(A)：
1

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