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ECH8661中文资料互补,双功率 MOSFET 30V数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

ECH8661

参数属性

ECH8661 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列;产品描述:INTEGRATED CIRCUIT

功能描述

互补,双功率 MOSFET 30V
INTEGRATED CIRCUIT

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 23:01:00

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ECH8661规格书详情

描述 Description

ECH8661 is a Power MOSFET, 30V, 7A, 24mΩ, -30V, -5.5A, 39mΩ, Complementary Dual ECH8 for general purpose switching device applications.

特性 Features

• On-Resistance - N-Channel: RDS(on)1 = 18mΩ (typ) - P-Channel: RDS(on)1 = 30mΩ (typ)
• 4.0V drive
• Protection diode in

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications

简介

ECH8661属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的ECH8661晶体管 - FET,MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :ECH8661

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :Complementary

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :±30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.6

  • ID Max (A)

    :7

  • PD Max (W)

    :1.3

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :41

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :24

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :11.8

  • Ciss Typ (pF)

    :710

  • Package Type

    :SOT-28 FL/ECH-8

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