ECH8655R数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列规格书PDF

厂商型号 |
ECH8655R |
参数属性 | ECH8655R 封装/外壳为8-SMD,扁平引线;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列;产品描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 |
功能描述 | Dual N-Channel Power MOSFET 24V, 9A, 17mΩ |
封装外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 18:18:00 |
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ECH8655R规格书详情
描述 Description
ECH8655R is an N-Channel Power MOSFET, 24V, 9A, 17mΩ, Dual ECH8 for general purpose switching applications.
特性 Features
• Low on resistance
• 2.5 V drive
• Common-drain type
• Built-in gate protection resistor
• Best suited for LiB charging and discharging switch
• Protection diode in
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications
简介
ECH8655R属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的ECH8655R晶体管 - FET,MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。
技术参数
更多- 制造商编号
:ECH8655R
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Dual Common Drain
- V(BR)DSS Min (V)
:24
- VGS Max (V)
:12
- VGS(th) Max (V)
:1.3
- ID Max (A)
:9
- PD Max (W)
:1.4
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:Q1=Q2=25.5
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:Q1=Q2=17
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:16.8
- Ciss Typ (pF)
:-
- Package Type
:SOT-28 FL/ECH-8
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