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ECH8655R数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列规格书PDF

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厂商型号

ECH8655R

参数属性

ECH8655R 封装/外壳为8-SMD,扁平引线;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列;产品描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8

功能描述

Dual N-Channel Power MOSFET 24V, 9A, 17mΩ
MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8

封装外壳

8-SMD,扁平引线

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 18:18:00

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ECH8655R规格书详情

描述 Description

ECH8655R is an N-Channel Power MOSFET, 24V, 9A, 17mΩ, Dual ECH8 for general purpose switching applications.

特性 Features

• Low on resistance
• 2.5 V drive
• Common-drain type
• Built-in gate protection resistor
• Best suited for LiB charging and discharging switch
• Protection diode in

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications

简介

ECH8655R属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的ECH8655R晶体管 - FET,MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :ECH8655R

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual Common Drain

  • V(BR)DSS Min (V)

    :24

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :1.3

  • ID Max (A)

    :9

  • PD Max (W)

    :1.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=25.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=17

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :16.8

  • Ciss Typ (pF)

    :-

  • Package Type

    :SOT-28 FL/ECH-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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