ECH8655R中文资料Dual N-Channel Power MOSFET 24V, 9A, 17mΩ数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
ECH8655R |
| 参数属性 | ECH8655R 封装/外壳为8-SMD，扁平引线；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列；产品描述：MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 |
| 功能描述 | Dual N-Channel Power MOSFET 24V, 9A, 17mΩ |
| 封装外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-25 23:00:00 |
| 人工找货 | ECH8655R价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
ECH8655R规格书详情
描述 Description
ECH8655R is an N-Channel Power MOSFET, 24V, 9A, 17mΩ, Dual ECH8 for general purpose switching applications.
特性 Features
• Low on resistance
• 2.5 V drive
• Common-drain type
• Built-in gate protection resistor
• Best suited for LiB charging and discharging switch
• Protection diode in
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications
简介
ECH8655R属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由ONSEMI制造生产的ECH8655R晶体管 - FET，MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。
技术参数
更多- 制造商编号
：ECH8655R
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual Common Drain
- V(BR)DSS Min (V)
：24
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：1.3
- ID Max (A)
：9
- PD Max (W)
：1.4
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=25.5
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=17
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：16.8
- Ciss Typ (pF)
：-
- Package Type
：SOT-28 FL/ECH-8
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