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ECH8655R	文件：304.16 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：304.16 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8655R	文件：58.72 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications 文件：58.72 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8655R	文件：392.67 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：392.67 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8655R_12	文件：392.67 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：392.67 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8655R-R-TL-H	文件：176.29 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：176.29 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8655R-TL-H	文件：304.16 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：304.16 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8655R	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N-Channel Power MOSFET 24V, 9A, 17mΩ ECH8655R is an N-Channel Power MOSFET, 24V, 9A, 17mΩ, Dual ECH8 for general purpose switching applications. • Low on resistance\n• 2.5 V drive\n• Common-drain type\n• Built-in gate protection resistor\n• Best suited for LiB charging and discharging switch\n• Protection diode in;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8655R-R-TL-H	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SMD，扁平引线；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 阵列描述：MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Dual Common Drain
V(BR)DSS Min (V)：
24
VGS Max (V)：
12
VGS(th) Max (V)：
1.3
ID Max (A)：
9
PD Max (W)：
1.4
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=25.5
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=17
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
16.8
Package Type：
SOT-28 FL/ECH-8

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更多ECH8655R供应商更新时间2025-10-5 15:35:00

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