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ECH81	文件：187.37 Kbytes Page：4 Pages	TRIODE-HEPTODE [RFT] TRIODE-HEPTODE 文件：187.37 Kbytes 页数：4 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
ECH8101	文件：286.57 Kbytes Page：4 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications High-Current Switching Applications Features • Adoption of FBET, MBIT process. • High current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High speed switching. • High allowable power dissipation. • Halogen free compliance. Applications • High-power 文件：286.57 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8102	文件：296.35 Kbytes Page：5 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications High-Current Switching Applications Features • Adoption of FBET, MBIT process. • High current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High speed switching. • High allowable power dissipation. • Halogen free compliance. • IECO is guaranteed for preventing reverse flow 文件：296.35 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8102	文件：315.72 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor Bipolar Transistor –30V, –12A, Low VCE(sat), PNP Single ECH8 Features • Adoption of FBET, MBIT process • High current capacitance • Low collector-to-emitter saturation voltage • High speed switching • High allowable power dissipation • Halogen free compliance • IECO is guaranteed for p 文件：315.72 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8102-TL-H	文件：315.72 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor Bipolar Transistor –30V, –12A, Low VCE(sat), PNP Single ECH8 Features • Adoption of FBET, MBIT process • High current capacitance • Low collector-to-emitter saturation voltage • High speed switching • High allowable power dissipation • Halogen free compliance • IECO is guaranteed for p 文件：315.72 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8102	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管，-30V -12A，低饱和压，PNP 单 ECH8 ECH8102 is Bipolar Transistor, -30V, -12A, Low VCE(sat), PNP Single ECH8 for High-Current Switching Applications. • Adoption of FBET, MBIT process\n• Low collector-to-emitter saturation voltage\n• High allowable power dissipation\n• High current capacitance\n• High speed switching\n• Halogen free compliance\n• IECO is guaranteed for preventing reverse fl ow from the collector to the emitter;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8101	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8102-TL-H	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SMD，扁平引线；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 12A 8ECH	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.135
IC Cont. (A)：
12
VCEO Min (V)：
30
VCBO (V)：
30
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.85
hFE Min：
200
hFE Max：
560
fT Min (MHz)：
140
PTM Max (W)：
1.6
Package Type：
SOT-28 FL/ECH-8

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