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ECH8102分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

ECH8102

参数属性

ECH8102 封装/外壳为8-SMD,扁平引线;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 30V 12A 8ECH

功能描述

Bipolar Transistor
TRANS PNP 30V 12A 8ECH

封装外壳

8-SMD,扁平引线

文件大小

315.72 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2026-1-26 20:00:00

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ECH8102规格书详情

ECH8102属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的ECH8102晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

Bipolar Transistor

–30V, –12A, Low VCE(sat), PNP Single ECH8

特性 Features

• Adoption of FBET, MBIT process

• High current capacitance

• Low collector-to-emitter saturation voltage

• High speed switching

• High allowable power dissipation

• Halogen free compliance

• IECO is guaranteed for preventing reverse flow from the collector to the emitter

Applications

• High-power IGBT / MOSFET gate drivers, DC / DC converters, lamp drivers, motor drivers

产品属性

更多
  • 产品编号:

    ECH8102-TL-H

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    135mV @ 300mA,6A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 500mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    140MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    8-ECH

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 12A 8ECH

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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