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ECH8102中文资料双极晶体管,-30V -12A,低饱和压,PNP 单 ECH8数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

ECH8102

参数属性

ECH8102 封装/外壳为8-SMD,扁平引线;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 30V 12A 8ECH

功能描述

双极晶体管,-30V -12A,低饱和压,PNP 单 ECH8
TRANS PNP 30V 12A 8ECH

封装外壳

8-SMD,扁平引线

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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ECH8102规格书详情

描述 Description

ECH8102 is Bipolar Transistor, -30V, -12A, Low VCE(sat), PNP Single ECH8 for High-Current Switching Applications.

特性 Features

• Adoption of FBET, MBIT process
• Low collector-to-emitter saturation voltage
• High allowable power dissipation
• High current capacitance
• High speed switching
• Halogen free compliance
• IECO is guaranteed for preventing reverse fl ow from the collector to the emitter

应用 Application

• High-power IGBT/MOSFET gate drivers
• DC-DC converters
• Lamp drivers
• Motor drivers

简介

ECH8102属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的ECH8102晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :ECH8102

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :Low VCE(sat)

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.135

  • IC Cont. (A)

    :12

  • VCEO Min (V)

    :30

  • VCBO (V)

    :30

  • VEBO (V)

    :6

  • VBE(sat) (V)

    :0.85

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :200

  • hFE Max

    :560

  • fT Min (MHz)

    :140

  • PTM Max (W)

    :1.6

  • Package Type

    :SOT-28 FL/ECH-8

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